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長鑫、長存,中國兩大存儲芯片巨頭,被美打壓后,發展怎麼樣了?
2024/01/28

2023年,是存儲芯片廠商們,最近15年以來,最慘的一年。

因為需求不振,供過于求,大家庫存高企,不得不降價求銷量,以降價換訂單,同時各大廠商又競爭激烈,所以價格是跌跌不休,最高時直接降了50%。

在2023年買DRAM內存,NAND閃存的人最有深刻體會,1TB的SSD,只要200塊,想以前最便宜的也要400塊左右。

在這樣的背景之下,三星、SK海力士、美光這三大巨頭巨虧,數據統計下來,2023年這一年,這三大廠商,在存儲芯片上虧了1500來億元。

很多人感謝國產存儲廠商,認為雖然有芯片周期的影響,但國產存儲廠商功不可沒,沒有國產存儲芯片廠商的攪局,怎麼可能跌價會這麼狠?

事實上也確實如此,各種因素交集在一起,才造成了2023年這個超級大低谷。

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那麼問題來了,造成這樣大低谷的情況下,國產存儲芯片,究竟發展得怎麼樣了?今天好好聊一下這個話題。

原本國內有三大存儲芯片基地的,一是長江存儲主攻NAND閃存,一家是長鑫存儲主攻DRAM內存,還有一家是福建晉華,主攻的也是 DRAM內存。

不過後來因為美光的原因,晉華陷入停滯狀態,沒什麼進展,只有長江存儲、長鑫存儲還在繼續突破。

長江存儲發明了「晶棧」技術,從64層到128層,再迅速突破到232層,于三星、美光等巨頭,站到同一起跑線,甚至在232層技術上,還超過了三星等,成為全球第一家量產232層3D NAND閃存的廠商。

不過後來被美國打壓,美國想要鎖死我們的NAND閃存技術在128層,對128層以上的設備、技術進行了封鎖。

所以目前長江存儲只有少量232層閃存生產線,還是禁令之前就建好的,目前主要還是生產128層技術,近日有媒體報道稱,長江存儲又推出了一個120層技術,但性能不比232層差,真假未知,但說明又有了突破。

從市場和產能來看,長江存儲目前的市場約占全球5%左右,產能大約也在6%左右,但在持續擴產,未來的計劃是達到全球15-20%的產能。

再看長鑫存儲,在DDR類型來看,長鑫目前已經生產出了DDR5內存,也算是處于頂尖水平了。

不過從工藝制程來看,還是落后三星、SK海力士這些一些,三星等實際工藝制程達到了14nm左右,而長鑫之前一直是21nm、19nm。

同時美國之前針對中國的DRAM內存,也出台了禁令,想要卡死在18nm,及任何18nm及以下的設備/技術,不允許被出口。

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但近日,有媒體報道稱,長鑫存儲 開始批量生產18.5nm工藝的DRAM芯片,月產量高達100000片晶圓。

同時長鑫啟動二期建設,2024年底完成,預計達到1.4萬片每月,產能占全球DRAM總產能的10%。

可見,隨著DRAM內存、NAND閃存方面,我們都受到打擊,但廠商們一直在努力,技術、產能上均在不斷突破,競爭力也在逐步提升。

這也是為何2023年,國內存儲芯片廠商們降價這麼狠的原因,因為競爭者多了,中國廠商更有成本優勢,所以不得不降價。

希望接下來,國產存儲芯片廠商們,能夠不斷的突破,提高產能,提高市占率,那麼未來這些產品,想漲價都漲不起來了,消費者真正得到實惠。

嚴禁無授權轉載,違者將面臨法律追究。

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